Placherul de siliciu monocristalin N de tip N, N-Type M2 are un design cvasi-pătrat 156.75 × 156,75 mm cu colțuri rotunjite, echilibrarea compatibilității cu machete standard ale modulului și captare optimizată a luminii. Produs folosind metoda CZ și dopajul fosforului, oferă o puritate mare a materialului,<100>orientare și densitate scăzută de dislocare (mai mică sau egală cu 500 cm⁻²). Cu conductivitatea de tip N, o gamă largă de rezistivitate (0,2–12 Ω · cm) și durata de viață a purtătorului minoritar mare (mai mare sau egală cu 1000 µs), acceptă tehnologii celulare de înaltă eficiență, cum ar fi Topcon și HJT. Placa M2 rămâne un format dovedit și fiabil pentru performanțe stabile în aplicațiile fotovoltaice mainstream.
1. Proprietăți materiale
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Metoda de creștere |
Cz |
|
|
Cristalinitate |
Monocristalin |
Tehnici preferențiale de gravură(ASTM F47-88) |
|
Tip de conductivitate |
N-TIP |
NAPSON EC-80TPN |
|
Dopant |
Fosfor |
- |
|
Concentrația de oxigen [OI] |
Mai puțin sau egal cu8e +17 la/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Concentrația de carbon [CS] |
Mai puțin sau egal cu5e +16 la/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Densitatea gropii de gravură (densitatea dislocării) |
Mai puțin sau egal cu500 cm-2 |
Tehnici preferențiale de gravură(ASTM F47-88) |
|
Orientarea suprafeței |
<100>± 3 grade |
Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987) |
|
Orientarea laturilor pseudo pătrate |
<010>,<001>± 3 grade |
Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987) |
2. Proprietăți electrice
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Rezistivitate |
0,2-2,0 Ω.cm 0,5-3,5 Ω.cm
1.0-7.0 Ω.cm
1,5-12 Ω.cm
|
Rezistivitate cu 4 probe
Măsurarea
|
|
MCLT (Minority Carrier Lifetime) |
Mai mare sau egal cu 1000 µs (rezistivitate ＞ 1,0 Ω.cm) Mai mare sau egal cu 500 µs (rezistivitate ＜ 1,0 Ω.cm
|
Sinton BCT-400 Tranzitoriu
(cu nivel de injecție: 5e14 cm-3)
|
3.Geometrie
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Geometrie |
Piața cvasi
|
Etrier Vernier
|
|
Diametru
|
210 ± 0,25 mm
|
Etrier Vernier |
|
Plat la plat
|
156,75 ± 0,25 mm
|
Etrier Vernier
|
|
Lungimea colțului
|
8,5 ± 0,5mm
|
Pătrat/riglă cu scaun larg
|
|
Angularitate
|
90 grade ± 0,2 grade |
Conducător unghi
|
|
Forma colțului
|
Forma rotundă
|
Inspecție vizuală
|
|
Perpendiculit
|
Mai puțin sau egal cu 0,8 mm
|
|
|
TTV (variație totală a grosimii) |
Mai puțin sau egal cu 27 µm |
Sistem de inspecție a plafonului |
4.Proprietăți de suprafață
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Calificarea suprafeței
|
Pete, ulei, zgârietură, crăpătură, groapă, bump,
Pinhole și defectul gemeni nu sunt
permis
|
Inspecție vizuală
|
|
Chip
|
Cipul de suprafață nu este permis;
ARRIS: Jetoanele sunt inconștiente:
Mai puțin de 10 pe arris, dia mai mică sau egală cu 0,3 mm;
|
Riglă
|
|
Suprafață dur
|
Suprafața planului: RA mai mică sau egală cu 0,6um;
Suprafață camber: ra mai mică sau egală cu 1,0um
|
Contor de rugozitate a suprafeței
|
Tag-uri populare: Specificații de placă de siliciu monocristalin N de tip N, China, furnizori, producători, fabrică, fabricate în China
