N Tip Full Square Monocrystalline Solar Napolitană

N Tip Full Square Monocrystalline Solar Napolitană

În industria fotovoltaică solară, tranziția tehnologiei plachetelor vine de la pseudo pătrat 156.75x156.75mm M2 la dimensiuni mai mari de plachete la pătrat complet 158.75x158.75mm și aceasta include plachete mono-Si de tip p și n. Napolitanele Full Square Mono de ultimă generație au maximizat expunerea luminii la același nivel de plachetă multiplă prin extinderea măsurii pătrate. Plachetele sunt întotdeauna complet pătrate, astfel încât să se potrivească modulului PV într-un mod optim.
Share to
Trimite anchetă
Vorbeste acum
Descriere
Parametrii tehnici

CZ silicon crystal growth


158.75mm full square monocrystalline solar wafer


În industria fotovoltaică solară, tranziția tehnologiei plachetei vine ca o schimbare de la pseudo pătrat156.75x156.75mm M2 la dimensiuni mai mari placheta la pătrat complet 158.75x158.75mm și aceasta include p-tip și n-tip mono-Si napolitane.

Napolitanele Full Square Mono de ultimă generație au maximizat expunerea luminii la același nivel de plachetă multiplă prin extinderea măsurii pătrate. Plachetele sunt întotdeauna complet pătrate, astfel încât să se potrivească modulului PV într-un mod optim. 

 

1      Proprietățile materialelor

 

proprietate

Specificaţie

Metoda de inspecție

Metoda de creștere

Cz


Cristalinitate

Monocristalină

Tehnici preferențiale EtchASTM F47-88

Tipul de conductivitate

Tip N

Napson EC-80TPN

Dopant

fosfor

-

Concentrația de oxigen[Oi]

8E+17 la/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentrația de carbon[Cs]

5E+16 la/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densitatea gropii Etch (densitatea dislocării)

500 cm-3

Tehnici preferențiale EtchASTM F47-88

Orientarea suprafeței

<100>±3°

Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987)

Orientarea laturilor pseudo pătrate

<010>,<001>±3°

Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987)

 

2      Proprietăți electrice

 

proprietate

Specificaţie

Metoda de inspecție

Rezistivitate

0,3-2,1 Ω,cm

1.0-7.0 Ω.cm

Sistem de inspecție a plachetei

MCLT (durata de viață a transportatorului minoritar)

≧1000 μs (Rezistivitate 0,3-2,1 Ω,cm)
≧500 μsRezistivitate1,0-7,0 Ω,cm)

Sinton tranzitoriu

 

3      geometrie

 


proprietate

Specificaţie

Metoda de inspecție

geometrie

Pătrat complet


Lungime laterală plachetă

158,75±0,25 mm

sistem de inspecție a plachetei

Diametrul plachetei

φ223±0,25 mm

sistem de inspecție a plachetei

Unghiul dintre laturile adiacente

90° ± 0,2°

sistem de inspecție a plachetei

grosime

18020/10 μm;

17020/10 μm

sistem de inspecție a plachetei

TTV (Variația totală a grosimii)

27 μm

sistem de inspecție a plachetei



 image



4      Proprietățile suprafeței

 

proprietate

Specificaţie

Metoda de inspecție

Metoda de tăiere

Dw

--

Calitatea suprafeței

tăiate și curățate, fără contaminare vizibilă (uleiul sau grăsimea, amprentele degetelor, petele de săpun, petele de suspensie, petele epoxidice/lipicioase nu sunt permise)

sistem de inspecție a plachetei

Marcaje de ferăstrău / pași

≤ 15 μm

sistem de inspecție a plachetei

arc

≤ 40 μm

sistem de inspecție a plachetei

urzeală

≤ 40 μm

sistem de inspecție a plachetei

cip

adâncime ≤0,3 mm și lungime ≤ max. 0,5 mm 2/buc;   fără cip V

Sistem de inspecție a ochilor goi sau a plachetei

Micro fisuri / găuri

Nu este permis

sistem de inspecție a plachetei




Tag-uri populare: n tip plachetă solară monocristalină pătrată completă, China, furnizori, producători, fabrică, fabricată în China

Trimite anchetă
Trimite anchetă