Napoleta solara monocristalina de tip 156.75mm

Napoleta solara monocristalina de tip 156.75mm

Faptul că tehnologiile celulare care au cea mai mare eficiență în producția industrială se bazează pe napolitene Cz-Si de tip n este o demonstrație izbitoare a motivului pentru care napolitelele de tip n sunt cel mai potrivit material pentru celule solare de înaltă eficiență. Mergând mai detaliat, există câteva motive fizice pentru superioritatea tipului n față de tipul p.
Share to
Trimite anchetă
Vorbeste acum
Descriere
Parametrii tehnici

CZ silicon crystal growth


Monocrystalline wafer 1


Faptul că tehnologiile celulare care prezintă cele mai mari eficiențe în producția industrială se bazează pe napolitane tip Cz-Si de tip N este o demonstrație izbitoare a motivului pentru care napolitelele de tip n sunt materialul cel mai potrivit pentru celulele solare de înaltă eficiență. Mergând mai detaliat, există câteva motive fizice pentru superioritatea tipului N față de tipul P, cele mai importante sunt:

  • datorită absenței borului, nu se produce degradarea indusă de lumină (LID) în napolitelele de tip p din cauza complexelor bor-oxigen

  • Deoarece N de tip Si este mai puțin sensibil la impuritățile metalice proeminente, în general, lungimile de difuzie ale purtătorului minoritar în Cz-Si de tip n sunt semnificativ mai mari comparativ cu Cz-Si de tip p

  • N de tip Si este mai puțin predispus la degradare în timpul proceselor de temperatură ridicată, cum ar fi difuzia B.

1 Proprietățile materialului

Proprietate

Specificație

Metoda de inspecție

Metoda de creștere

CZ


Cristalinitatea

Monocristalin

Tehnici de gravare preferențialeASTM F47-88

Tipul de conductivitate

De tip N

Napson EC-80TPN

Dopant

Fosfor

-

Concentrația de oxigen [Oi]

8E+17 la / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentrația de carbon [Cs]

5E+16 la / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densitate groapă gravată (densitate dislocare)

500 cm-3

Tehnici de gravare preferențialeASTM F47-88

Orientarea suprafeței

& lt; 100> ± 3 °

Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987)

Orientarea laturilor pseudo-pătrate

& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987)

2 Proprietăți electrice

Proprietate

Specificație

Metoda de inspecție

Rezistivitate

0,2-2,0 Ω.cm

0,5-3,5 Ω.cm

1,0-7,0 Ω.cm

1,5-12 Ω.cm

Altă rezistivitate

Sistem de inspectare a plachetelor

MCLT (durata de viață a transportatorului minoritar)

1000 μs (Rezistivitate> 1Ωcm)
500 μs (Rezistivitate<>Ωcm)

Sinton trecător

3 Geometrie

Proprietate

Specificație

Metoda de inspecție

Geometrie

Pseudo pătrat


Forma muchiei teșite

Rundă


Dimensiunea napolitane

(Lungime laterală * lungime laterală * diametru

M0: 156*156*ϕ210 mm

M1: 156.75*156.75* ϕ205mm

M2: 156.75*156.75* ϕ210 mm

Sistem de inspectare a plachetelor

Unghiul dintre laturile adiacente

90±3°

Sistem de inspectare a plachetelor


image




Tag-uri populare: Wafer solar monocristalin de tip 156.75mm, China, furnizori, producători, fabrică, fabricat în China

Trimite anchetă
Trimite anchetă