Optimizat pentru aplicații solare de înaltă eficiență, N-Type M6 Monocristalin Silicon Wafer prezintă un design pseudo-square 166 × 166 mm cu proprietăți superioare ale materialului. Fabricat folosind metoda CZ cu dopaj de fosfor, oferă o calitate excelentă a cristalului cu<100>orientare și densitate scăzută de defecte (mai mică sau egală cu 500 cm⁻²). Placherul oferă o conductivitate de tip N cu rezistență de 1,0-7,0 Ω · cm și mai mare sau egală cu 1000 µs durată de viață a purtătorului, ceea ce o face ideală pentru tehnologiile celulare de topcon și heterojuncție. Geometria sa precisă (φ223 mm diametru, mai mică sau egală cu 27 µm TTV) și standardele stricte ale calității suprafeței asigură performanțe optime în modulele fotovoltaice. Mărimea M6 oferă echilibrul perfect între eficiența celulară și productivitatea producției pentru liniile de producție solară modernă.
1. Proprietăți materiale
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Metoda de creștere |
Cz |
|
|
Cristalinitate |
Monocristalin |
Tehnici preferențiale de gravură(ASTM F47-88) |
|
Tip de conductivitate |
N-tip |
NAPSON EC-80TPN |
|
Dopant |
Fosfor |
- |
|
Concentrația de oxigen [OI] |
Mai puțin sau egal cu8e +17 la/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Concentrația de carbon [CS] |
Mai puțin sau egal cu5e +16 la/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Densitatea gropii de gravură (densitatea dislocării) |
Mai puțin sau egal cu500 cm-2 |
Tehnici preferențiale de gravură(ASTM F47-88) |
|
Orientarea suprafeței |
<100>± 3 grade |
Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987) |
|
Orientarea laturilor pseudo pătrate |
<010>,<001>± 3 grade |
Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987) |
2. Proprietăți electrice
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Rezistivitate |
1.0-7.0 Ω.cm
|
Sistem de inspecție a plafonului |
|
MCLT (Minority Carrier Lifetime) |
Mai mare sau egal cu 1000 µs
|
Sinton BCT-400 Tranzitoriu
(cu nivel de injecție: 5e14 cm-3)
|
3.Geometrie
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Geometrie |
Piața pseudo |
|
|
Forma marginii tei
|
rundă | |
|
Lungimea laterală a plafonului |
166 ± 0,25 mm
|
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Diametrul plafonului |
φ223 ± 0,25 mm |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Unghi între laturile adiacente |
90 grade ± 0,2 grade |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Grosime |
180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
|
Sistem de inspecție a plafonului |
|
TTV (variație totală a grosimii) |
Mai puțin sau egal cu 27 µm |
Sistem de inspecție a plafonului |
4.Proprietăți de suprafață
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Metoda de tăiere |
DW |
-- |
|
Calitatea suprafeței |
Ca tăiat și curățat, nu sunt permise contaminare vizibilă, (ulei sau grăsime, imprimeuri cu degetele, pete de săpun, pete de suspensie, pete epoxidice/lipici nu sunt permise) |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Marcaje / pași de ferăstrău |
Mai puțin sau egal cu 15 um |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Arc |
Mai puțin sau egal cu 40 um |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Urzeală |
Mai puțin sau egal cu 40 um |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Chip |
adâncime mai mică sau egală cu 0,3 mm și lungime mai mică sau egală cu 0,5 mm max 2/buc; Fără v-chip |
Ochii goale sau sistemul de inspecție a plafonului |
|
Micro fisuri / găuri |
Nu este permis |
Sistem de inspecție a plafonului |
Tag-uri populare: N-TIP M6 MONOCRISTALLINE SILICON SECIFICAȚIE SILICONĂ, CHINA, FURNIZOR, Producători, Fabrica, fabricate în China
