Această specificație definește napolitane de siliciu monocristalin de tip N (mărimea M10) pentru celulele solare avansate. Produs prin metoda Czochralski cu dopaj de fosfor, napolitane prezintă o concentrație scăzută de oxigen (până la 8E17 AT/cm³), o concentrație scăzută de carbon (până la 5e16 AT/cm³), densitatea gropii de etape până la 500 cm⁻² și orientare a suprafeței precisă în 3 grade de 3 grade de 3 grade de 3 grade de 3 grade<100>.
Proprietățile electrice cheie includ un interval de rezistivitate de la 1,0 până la 7,0 Ω.CM și durata de viață a purtătorului minoritar mare (minim 1000 μs).
Plăcile au o geometrie pseudo-pătrat optimizată cu lungimea laterală de 182 mm (toleranță 0,25 mm), diametrul 247 mm (toleranță 0,25 mm) și laturile adiacente la 90 grade (toleranță 0,2 grade). Disponibile în grosimi de la 150 la 180 μm (cu toleranțe), acestea asigură o variație minimă a grosimii (TTV maxim 27 μm). Calitatea suprafeței este strict controlată („ca tăiată și curățată”), interzicând contaminarea și micro-crack-urile, cu limite pe mărcile de ferăstrău (maxim 15 μm), arc și urzeală (maxim 40 μm fiecare). Acest format mare susține trecerea industriei către captarea optimizată a luminii.
1. Proprietăți materiale
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Metoda de creștere |
Cz |
|
|
Cristalinitate |
Monocristalin |
Tehnici preferențiale de gravură(ASTM F47-88) |
|
Tip de conductivitate |
N-TIP |
NAPSON EC-80TPN |
|
Dopant |
Fosfor |
- |
|
Concentrația de oxigen [OI] |
Mai puțin sau egal cu8e +17 la/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Concentrația de carbon [CS] |
Mai puțin sau egal cu5e +16 la/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Densitatea gropii de gravură (densitatea dislocării) |
Mai puțin sau egal cu500 cm-2 |
Tehnici preferențiale de gravură(ASTM F47-88) |
|
Orientarea suprafeței |
<100>± 3 grade |
Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987) |
|
Orientarea laturilor pseudo pătrate |
<010>,<001>± 3 grade |
Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987) |
2. Proprietăți electrice
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Rezistivitate |
1.0-7.0 Ω.cm
|
Sistem de inspecție a plafonului |
|
MCLT (Minority Carrier Lifetime) |
Mai mare sau egal cu 1000 µ |
Sinton BCT-400
Tranzitoriu
(cu nivel de injecție: 5e14 cm-3)
|
3.Geometrie
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Geometrie |
Piața pseudo |
|
|
Forma marginii tei
|
rundă | |
|
Lungimea laterală a waferului |
182 ± 0,25 mm
|
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Diametrul plafonului |
φ247 ± 0,25 mm |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Unghi între laturile adiacente |
90 grade ± 0,2 grade |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Grosime |
180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
|
Sistem de inspecție a plafonului |
|
TTV (variație totală a grosimii) |
Mai puțin sau egal cu 27 µm |
Sistem de inspecție a plafonului |
4.Proprietăți de suprafață
|
Proprietate |
Specificații |
Metoda de inspecție |
|
Metoda de tăiere |
DW |
-- |
|
Calitatea suprafeței |
Ca tăiat și curățat, nu sunt permise contaminare vizibilă, (ulei sau grăsime, imprimeuri cu degetele, pete de săpun, pete de suspensie, pete epoxidice/lipici nu sunt permise) |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Marcaje / pași de ferăstrău |
Mai puțin sau egal cu 15 um |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Arc |
Mai puțin sau egal cu 40 um |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Urzeală |
Mai puțin sau egal cu 40 um |
Sistem de inspecție a plafonului |
|
Chip |
adâncime mai mică sau egală cu 0,3 mm și lungime mai mică sau egală cu 0,5 mm max 2/buc; Fără v-chip |
Ochii goale sau sistemul de inspecție a plafonilor |
|
Micro fisuri / găuri |
Nu este permis |
Sistem de inspecție a plafonului |
Tag-uri populare: Specificații de placă de siliciu monocristalin N de tip N, China, furnizori, producători, fabrică, fabricate în China
