P Tip M4 Plachetă solară monocristalină

Metoda de creștere

Cz

Cristalinitate

Monocristalină

Tehnici preferențiale Etch（ASTM F47-88）

Tipul de conductivitate

Tip P

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Bor, Galiu

-

Concentrația de oxigen[Oi]

≦8E+17 la/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Concentrația de carbon[Cs]

≦5E+16 la/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Densitatea gropii Etch (densitatea dislocării)

≦500 cm^-3

Tehnici preferențiale Etch（ASTM F47-88）

Orientarea suprafeței

<100>±3°

Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987)

Orientarea laturilor pseudo pătrate

<010>,<001>±3°

Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987)

Rezistivitate

0,5-1,5 Ωcm

Sistem de inspecție a plachetei

MCLT (durata de viață a transportatorului minoritar)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(cu nivel de injectare: 1E15 centimetru^-3)

geometrie

Pătrat cvasi

Lungime laterală plachetă

161,7±0,25 mm

sistem de inspecție a plachetei

Diametrul plachetei

φ221±0,25 mm

sistem de inspecție a plachetei

Unghiul dintre laturile adiacente

90° ± 0,2°

sistem de inspecție a plachetei

grosime

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

TTV (Variația totală a grosimii)

≤27 μm

sistem de inspecție a plachetei

Metoda de tăiere

Dw

--

Calitatea suprafeței

tăiate și curățate, fără contaminare vizibilă (uleiul sau grăsimea, amprentele degetelor, petele de săpun, petele de suspensie, petele epoxidice/lipicioase nu sunt permise)

sistem de inspecție a plachetei

Marcaje de ferăstrău / pași

≤ 15 μm

sistem de inspecție a plachetei

arc

≤ 40 μm

sistem de inspecție a plachetei

urzeală

≤ 40 μm

sistem de inspecție a plachetei

cip

adâncime ≤0,3 mm și lungime ≤ max. 0,5 mm 2/buc;   fără cip V

Sistem de inspecție a ochilor goi sau a plachetei

Micro fisuri / găuri

Nu este permis

sistem de inspecție a plachetei