Wafer solar monocristalin tip pătrat

Wafer solar monocristalin tip pătrat

O metodologie este de a urmări traseul creșterii lățimii peste napolitena monocristalină de la 125 mm la 156 mm și de a crește dimensiunea modulului, cum ar fi napolitele monocristaline pseudo-pătrate de 158,75 mm sau napolitele monocristaline pătrate complete (dimetrul napolitelor 223 mm). Placheta monocristalină completă de 158,75 mm (dimametrul plafonului 223 mm) crește suprafața plăcii cu aproximativ 3,1% comparativ cu formatul M2, ceea ce crește puterea unui modul cu 60 de celule cu aproape 10Wp.
Share to
Trimite anchetă
Vorbeste acum
Descriere
Parametrii tehnici


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


O metodologie este de a urmări ruta de creștere a lățimii peste napolitena monocristalină de la 125mm la 156mm și de a crește dimensiunea modulului, cum ar fi pseudo-pătratul de 158,75mmmonocristalinnapolitane sau pătrat plinmonocristalinnapolitane (dimametru napolitane 223mm).158.75mmpătrat plinmonocristalinnapolitane (dimametru napolitane 223mm) mărește zona de napolitane cu aproximativ 3,1% comparativ cu formatul M2, ceea ce crește puterea unui modul de 60 de celule cu aproape 10Wp.


1 Proprietățile materialului

Proprietate

Specificație

Metoda de inspecție

Metoda de creștere

CZ


Cristalinitatea

Monocristalin

Tehnici de gravare preferențiale(ASTM F47-88)

Tipul de conductivitate

De tip P

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Bor, galiu

-

Concentrația de oxigen [Oi]

≦8E+17 la / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentrația de carbon [Cs]

≦5E+16 la / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densitate groapă gravată (densitate dislocare)

≦500 cm-3

Tehnici de gravare preferențiale(ASTM F47-88)

Orientarea suprafeței

& lt; 100> ± 3 °

Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987)

Orientarea laturilor pseudo-pătrate

& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Metoda de difracție cu raze X (ASTM F26-1987)

2 Proprietăți electrice

Proprietate

Specificație

Metoda de inspecție

Rezistivitate

0,5-1,5 Ωcm

Sistem de inspectare a plachetelor

MCLT (durata de viață a transportatorului minoritar)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(cu nivel de injecție: 1E15 cm-3)

3Geometrie



Proprietate

Specificație

Metoda de inspecție

Geometrie

Pătrat complet


Wafer Lungime laterală

158,75 ± 0,25 mm

sistem de inspectare a napolitane

Diametrul plăcii

φ223 ± 0,25 mm

sistem de inspectare a napolitane

Unghiul dintre laturile adiacente

90° ± 0.2°

sistem de inspectare a napolitane

Grosime

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

sistem de inspectare a napolitane

TTV (Variația totală a grosimii)

≤27 µm

sistem de inspectare a napolitane



image

4 Proprietăți de suprafață

Proprietate

Specificație

Metoda de inspecție

Metoda de tăiere

DW

--

Calitatea suprafeței

așa cum este tăiat și curățat, fără contaminare vizibilă (ulei sau grăsime, amprente, pete de săpun, pete de șlam, pete epoxidice / lipice nu sunt permise)

sistem de inspectare a napolitane

Am văzut semne / pași

≤ 15µm

sistem de inspectare a napolitane

Arc

≤ 40 µm

sistem de inspectare a napolitane

Urzeală

≤ 40 µm

sistem de inspectare a napolitane

Chip

adâncime ≤0,3mm și lungime ≤ 0,5mm Max 2 / buc; fără cip V

Ochi goi sau sistem de inspecție a napolitane

Micro fisuri / găuri

Nepermis

sistem de inspectare a napolitane




Tag-uri populare: Wafer solar monocristalin tip pătrat, China, furnizori, producători, fabrică, fabricată în China

Trimite anchetă
Trimite anchetă