Celulă solară din silicon de tip N

Tehnologia Silicon Heterojunction (HJT) se bazează pe un emițător și un câmp de suprafață din spate (BSF) care sunt produse de creșterea la temperatură scăzută a straturilor ultra-subțiri de siliciu

Celula solară M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) de 210 mm are o eficiență de 24,4% și o putere nominală de 10,76 Watt per celulă.

Tehnologia heterojuncției siliciului (HJT) se bazează pe un emițător și un câmp de suprafață din spate (BSF) care sunt produse de creșterea la temperatură scăzută a straturilor ultra-subțiri de

Tehnologia TOPCON (contact pasiv cu oxid de tunel) mărește eficiența celulei solare de tip N cu până la 25 la sută. Celula solară industrială TOPCon de 210 mm are o eficiență maximă de 24,4 la sută

Tehnologia TOPCON (contactul pasivat cu oxid de tunel) mărește eficiența celulei solare de tip N până la 24,5%. Celula solară monocristalină de 182 mm TOPCon are o putere nominală de 8,08 Watt cu o

Actualizată de la tehnologia PERT, tehnologia TOPCON (contact pasivat cu oxid de tunel) combinată cu stratul de pasivare AlOx / SiNx crește eficiența celulei solare de tip N 166mm până la 24,4%.

Celulele solare din silicon PERT mono-bifacial de tip N (emițător pasivat spate total difuz) posedă eficiențe ridicate și stabilizate de conversie. Celula solară PERT bifacială de tip n poate fi

Celulele solare din silicon PERT mono-bifacial de tip N (emițător pasivat din spate total difuz) posedă eficiențe ridicate și stabilizate de conversie. Celulele solare din silicon de tip N sunt

În structura celulară interdigerată de contact spate (IBC), emițătorul și contactul se află atât pe partea din spate a plachetei, ceea ce permite optimizarea independentă a suprafeței frontale pentru

N-tip Mono bifacial PERT (passivated emițător spate complet difuze) silicon celule solare posedă eficiență ridicată și stabilizată de conversie.Celulele solare pe bază de siliciu de tip N sunt