【Introducerea Produsului】


PROPRIETATI MATERIALE
Parametru | Caracteristică | Metoda de control ASTM |
Tip / de dopant | P, Boron N, Fosfor N, Antimon N, Arsenic | F42 |
orientari | <100>, <111> îndepărtează orientările conform specificațiilor clientului111>100> | F26 |
Conținutul de oxigen | 10 18 ppmA Toleranțe personalizate la specificațiile clientului | F121 |
Conținutul de carbon | <0.5 ppma="" toleranțe="" personalizate="" la="" specificațiile="">0.5> | F123 |
Rezistența variază de la P, Boron-N, Fosfor-N, Antimoniu-N, Arsenic | 0,001 - 50 ohm · cm | F84 |
PROPRIETĂȚI MECANICE
Parametru | Prim | Monitor / Test A | Test | Metoda ASTM |
Diametru | 100 ± 0,2 mm | 100 ± 0,2 mm | 100 ± 0,5 mm | F613 |
Grosime | 525 ± 20 μm (standard) | 525 ± 25 μm (standard) 381 ± 25 μm 625 ± 25 μm 700 ± 25 μm 800 ± 25 μm 1000 ± 25 μm 1500 ± 25 μm | 525 ± 50 μm (standard) | F533 |
TTV | <5>5> | <10>10> | <15>15> | F657 |
Arc | <30>30> | <30>30> | <40>40> | F657 |
Wrap | <30>30> | <30>30> | <40>40> | F657 |
Edge Rounding | SEMI-STD | F928 | ||
Marcare | SEMI-STD Flats, doar primar SEMI-Flat | F26, F671 | ||
CALITATEA SUPRAFEȚEI
Parametru | Prim | Monitor / Test A | Test | Metoda ASTM |
Criteriile din partea frontală | ||||
Starea suprafeței | Chimic mecanic lustruit | Chimic mecanic lustruit | Chimic mecanic lustruit | F523 |
Densitatea de suprafață | <2 °="">2> | <2 °="">2> | <2 °="">2> | |
Contaminare, particule @> 0,3 μm | = 20 | = 20 | = 30 | F523 |
Haze, Gropi, coaja de portocala | Nici unul | Nici unul | Nici unul | F523 |
Saw Marks, striatii | Nici unul | Nici unul | Nici unul | F523 |
Criteriile din partea din spate | ||||
Crăpături, zgarieturi, au văzut urme, pete | Nici unul | Nici unul | Nici unul | F523 |
Starea suprafeței | Caustic gravat | F523 | ||
【 Descrierea produsului 】
Linia de produse Microelectronics include atât substraturi de polizat (SSP), cât și substraturi dublu lustruite (DSP). Dublurile laterale lustruite sunt în mod obișnuit necesare în semiconductori, MEMS și alte aplicații în care sunt necesare plachete cu caracteristici de uniformitate controlate.
De asemenea, oferim piese dreptunghiulare și pătrate. Domeniul practic de realizare a lungimilor marginilor pentru plachetele de siliciu este de 5 x 5 mm2 ... 100 x 120 mm2 etc. Costul / piesa de vâsc depinde atât de material, cât și de numărul de bucăți de placă cerută.
Tăierea și lustruirea personalizate sunt, de asemenea, disponibile în funcție de cerințele dumneavoastră. Vă rugăm să nu ezitați să ne contactați.
【 Caracteristicile produsului 】
· 4 "tip P / N, placă de siliciu polizat (25 buc)
· Orientare: 100
· Rezistenta: 0,1 - 40 Ohm · cm (poate varia de la lot la lot)
· Grosime: 525 +/- 20um
· Prime / Monitor / Grad de încercare
Tag-uri populare: 4 inch (100mm) wafer, China, furnizori, producatori, fabrici, fabricate în China








